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FinFET

También conocido como Transistor de Efecto de Campo Aleta (del inglés Fin Field Effect Transistor), es un tipo de transistor no-planar, es decir un transistor 3D, usado en el diseño de los procesadores actuales. Los diseños planares se construyen en substrato de Silicio sobre aislante, sin embargo los diseños de FinFET  incluyen un canal conductivo que incrementa el nivel del aislante creando así una muy delgada estructura de Silicio en forma de "Aleta" la cual es llamada electrodo gate (compuerta). Esta forma de electrodo tipo aleta permite múltiples gates o compuertas que operan sobre un mismo transistor. Este estilo multi-compuerta o multi-gate incrementa la ley de Moore por que permite a los fabricantes de semiconductores crear CPUs y módulos de memoria más pequeños, de desempaño más veloz y menor consumo de energía. Intel comenzó a lanzar la tecnología FinFET CPU en 2012 con sus procesadores Ivy Bridge de 22 nm.