Mosfet de potencia canal N de International Rectifier, de alta eficiencia con una resistencia interna extremadamente baja e incorpora un diodo de recuperación inversa dentro de su estructura. Capaz de funcionar a altas frecuencias de conmutación y utilizado en una gran variedad de aplicaciones.

Características

• Voltaje Drain-Source (VDSS): 100 Voltios
• Corriente de Drain (ID): 33 Amperios.
• Encapsulado: TO-220.
• Resistencia Drain-Source (RDS on): 44 mΩ.
• Baja resistencia térmica.
• Fabricante: International Rectifier.

Aplicaciones

• Inversores.
• Cargadores de Bateria.
• Fuentes de poder conmutadas.

   IRF540 Datasheet